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長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)入加速期，三期項(xiàng)目計(jì)劃今年建成投產(chǎn)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目正在安裝巨型潔凈廠房設(shè)備，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人透露，計(jì)劃今年建成投產(chǎn)。湖北省委書記王忠林來(lái)到長(zhǎng)江存儲(chǔ)三期項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)三期擴(kuò)產(chǎn)與未來(lái)目標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，是我國(guó)存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，主要為市場(chǎng)提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案。2021年12月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期科技有限責(zé)任公司成立，注冊(cè)資本600億元。2025年9月，長(zhǎng)存三期（武漢）集成電路有限責(zé)任公司成立，注冊(cè)資本達(dá)207.2億元?——?由長(zhǎng)江存儲(chǔ)持股5
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 3D NAND 晶棧 Xtacking

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首個(gè)LPDDR5工程品送樣 NAND撐起國(guó)產(chǎn)

存儲(chǔ)器缺貨嚴(yán)峻持續(xù)擴(kuò)大，供應(yīng)鏈傳出，隨著國(guó)際存儲(chǔ)器原廠快速傾斜至服務(wù)器市場(chǎng)，導(dǎo)致消費(fèi)性、汽車市場(chǎng)等將首當(dāng)其沖，國(guó)內(nèi)NAND Flash領(lǐng)導(dǎo)大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳將被賦予關(guān)鍵的維穩(wěn)大任，優(yōu)先支持中國(guó)特定產(chǎn)業(yè)與應(yīng)用，確保內(nèi)需供應(yīng)鏈穩(wěn)定，以避免發(fā)生斷供、企業(yè)裁員的惡性沖擊。供應(yīng)鏈人士也透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已不滿足于僅作為3D NAND的中國(guó)領(lǐng)頭羊，近來(lái)低調(diào)切入DRAM與高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)領(lǐng)域，日前更已完成LPDDR5工程樣品開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2026年下半啟動(dòng)的武漢三期新廠，近期已經(jīng)封頂，并將以DRAM為擴(kuò)產(chǎn)重心。隨著在產(chǎn)
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卷翻內(nèi)存市場(chǎng) 中國(guó)存儲(chǔ)廠商加速擴(kuò)張產(chǎn)能

全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)缺貨潮，NAND閃存大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)傳出以「史無(wú)前例」的速度擴(kuò)張產(chǎn)能，原定于2027年量產(chǎn)的武漢新廠已大幅提前，最快將在今（2026）年下半年正式投產(chǎn)。此舉是否對(duì)臺(tái)廠旺宏、南亞科、群聯(lián)等帶來(lái)競(jìng)爭(zhēng)壓力，后續(xù)發(fā)展備受市場(chǎng)關(guān)注。長(zhǎng)江存儲(chǔ)祭彎道超車奇招朝鮮日?qǐng)?bào)英文版《The Chosun Daily》報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢三廠于2025年9月動(dòng)工，原先預(yù)估須待2027年才具備正式量產(chǎn)條件。然而，當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體業(yè)界人士透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)近期已密集下達(dá)NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備采購(gòu)訂單，并同步進(jìn)行工廠啟動(dòng)與產(chǎn)
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240億美元，美光加碼NAND產(chǎn)線

美光新加坡工廠預(yù)計(jì)將于 2028 年下半年投產(chǎn)晶圓。
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240億美元！美光擴(kuò)建新加坡NAND晶圓廠

隨著全球人工智能浪潮推動(dòng)資料中心硬體需求激增，美國(guó)，存儲(chǔ)芯片巨頭美光科技（Micron Technology）宣布將在新加坡投入高達(dá)240億美元，用于建設(shè)一座全新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工廠，以擴(kuò)大其NAND Flash的生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)將于2028年下半年投產(chǎn)。據(jù)了解，美光科技此次宣布在新加坡建設(shè)的新工廠選址位于美光在兀蘭（Woodlands）現(xiàn)有的制造園區(qū)內(nèi)，240億美元的投資額將在未來(lái)10年內(nèi)分階段完成，預(yù)計(jì)將新增70萬(wàn)平方英尺的無(wú)塵室（cleanroom）空間，并聚焦NAND Flash芯片的生產(chǎn)。值得一提
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上調(diào)100%！存儲(chǔ)市場(chǎng)又一重磅調(diào)價(jià)信號(hào)

三星今年第一季度對(duì)NAND閃存的供應(yīng)合約價(jià)格已上調(diào)超過(guò)100%，目前客戶已收到通知。據(jù)行業(yè)知情人士透露，三星去年底已經(jīng)完成了與主要客戶的供應(yīng)合同談判，從一月起正式實(shí)施新的價(jià)格體系。另外，SK海力士也對(duì)NAND產(chǎn)品采取了類似的定價(jià)策略；存儲(chǔ)芯片大廠SanDisk也計(jì)劃在一季度將面向企業(yè)級(jí)的NAND價(jià)格上調(diào)100%。目前，三星已著手與客戶就第二季度的NAND價(jià)格進(jìn)行新一輪談判，市場(chǎng)普遍預(yù)計(jì)價(jià)格上漲的勢(shì)頭將在第二季度延續(xù)。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，去年第四季度NAND閃存價(jià)格漲幅為上一季度的3
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三星、SK海力士聯(lián)手減產(chǎn)，NAND閃存或進(jìn)入新一輪漲價(jià)周期

援引市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新調(diào)研成果披露，合計(jì)占全球NAND產(chǎn)能60%以上的兩大原廠三星電子和SK海力士，今年將縮減在閃存上的晶圓投片量，這可能會(huì)進(jìn)一步加劇NAND供應(yīng)的短缺。三星產(chǎn)量從2025年的490萬(wàn)片縮減至468萬(wàn)片，SK海力士則同步跟進(jìn)，產(chǎn)能從2025年的190萬(wàn)片降至170萬(wàn)片。在英偉達(dá)等公司引領(lǐng)的推理人工智能（AI）領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下，作為關(guān)鍵組件的NAND閃存供應(yīng)緊張，增加了包括服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備在內(nèi)的所有領(lǐng)域價(jià)格持續(xù)上漲的可能性。分析師預(yù)測(cè)，這將對(duì)三星電子和SK海力士的
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蘋果iPhone 18系列售價(jià)曝光：起步維持原價(jià)，大容量版本起飛

1 月 20 日消息，基于花旗集團(tuán)、美國(guó)銀行及摩根大通的分析報(bào)告，受 RAM 內(nèi)存和 NAND 閃存組件成本飆升影響，在 iPhone 18 系列售價(jià)方面，蘋果雖然會(huì)極力維持起步機(jī)型的發(fā)售價(jià)與前代持平，但在高存儲(chǔ)容量版本上，消費(fèi)者將面臨比以往更大的價(jià)格漲幅。Freedom Capital Markets 技術(shù)研究主管 Paul Meeks 分析認(rèn)為，全球科技企業(yè)對(duì) AI 算力的狂熱需求，導(dǎo)致內(nèi)存市場(chǎng)供不應(yīng)求，這種短缺狀態(tài)預(yù)計(jì)將至少持續(xù)兩年。即便蘋果擁有強(qiáng)大的供應(yīng)鏈議價(jià)能力，也難以完全消化這部分上漲的物料清
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GigaDevice在香港上市：創(chuàng)始人押注中國(guó)記憶未來(lái)

中國(guó)芯片制造商GigaDevice成立于2005年，自稱是全球第二大SPI NOR閃存供應(yīng)商，于1月13日首次進(jìn)入香港市場(chǎng)。據(jù)EE Times China報(bào)道，該公司在IPO中發(fā)行了2892萬(wàn)股H股。此次發(fā)行價(jià)格為每股162港元，據(jù)報(bào)道籌集資金高達(dá)46.84億港元（約合6億美元）。值得一提的是，新浪引用 chidu.com 強(qiáng)調(diào)，GigaDevice既是國(guó)內(nèi)DRAM巨頭CXMT的股東，也是其姊妹公司，兩家公司均由同一位企業(yè)家朱怡明創(chuàng)立。正如36Kr之前報(bào)道，2022年至2024年間，GigaDevice累
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格更新：DRAM飆升，賣家壓制庫(kù)存，主流DDR4上漲10%

根據(jù)TrendForce最新的記憶現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告，關(guān)于DRAM的現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)日復(fù)一日上漲，盡管交易依然低迷，供應(yīng)商和交易員囤積庫(kù)存，推動(dòng)主流DDR4 1Gx8 3200MT/s芯片平均價(jià)格上漲9.64%。與此同時(shí)，在NAND，盡管一些買家采取了觀望態(tài)度，現(xiàn)貨交易者對(duì)未來(lái)價(jià)格趨勢(shì)持樂(lè)觀態(tài)度，卻拒絕降價(jià)以刺激銷售。詳情如下：DRAM現(xiàn)貨價(jià)格：受強(qiáng)勁的合約價(jià)格上漲推動(dòng)，現(xiàn)貨價(jià)格連續(xù)日漲。然而，由于供應(yīng)商和交易商不愿釋放庫(kù)存，交易量依然受限。主流芯片（即DDR4 1Gx8 3200MT/s）的平均現(xiàn)貨價(jià)格已從上
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傳三星將采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利混合鍵合技術(shù)：用于400+層的第10代V-NAND閃存

上個(gè)月有報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已經(jīng)開(kāi)始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個(gè)有源層。長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實(shí)現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場(chǎng)的有力競(jìng)爭(zhēng)者。據(jù)TrendForce報(bào)道，三星將從第10代V-NAND閃存開(kāi)始，采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利混合鍵合技術(shù)。三星的目標(biāo)是在2025年下半年開(kāi)始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預(yù)計(jì)總層數(shù)達(dá)到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行專利協(xié)議的談判。
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SK海力士發(fā)布了5位NAND，可分割單元，實(shí)現(xiàn)20×更快的讀取速度

存儲(chǔ)巨頭在NAND容量擴(kuò)展上謹(jǐn)慎行事，逐步淘汰MLC（多級(jí)單元）等老產(chǎn)品，同時(shí)加倍投入先進(jìn)技術(shù)。值得一提的是，在2025年12月舊金山IEDM大會(huì)上，SK海力士發(fā)布了其尖端的5位NAND閃存，聲稱其讀取速度比傳統(tǒng)PLC（五級(jí)單元）快達(dá)20×，Blocks & Files報(bào)道。據(jù)報(bào)道，SK海力士的多點(diǎn)小區(qū)（MSC）NAND技術(shù)將每個(gè)3D NAND小區(qū)一分為二，提升每個(gè)小區(qū)的數(shù)據(jù)容量，同時(shí)將電壓狀態(tài)數(shù)量減少約三分之二。Blocks & Files指出，這一突破展示了SK海力士自2022年起開(kāi)發(fā)
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兆易創(chuàng)新GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash

一、產(chǎn)品概述中國(guó)北京（2025年4月15日）—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢(shì)與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢(shì)的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快
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金斯頓警告稱，自2025年初以來(lái)，NAND價(jià)格已飆升246%，預(yù)示未來(lái)將有更多價(jià)格上漲

在供應(yīng)緊張引發(fā)全球記憶價(jià)格飆升的背景下，另一家主要組件制造商警告即將上調(diào)價(jià)格。Tom's Hardware和TechPowerUp援引Kingston數(shù)據(jù)中心SSD業(yè)務(wù)經(jīng)理Cameron Crandall的言論指出，NAND價(jià)格自2025年1月以來(lái)已上漲246%，隨著短缺加劇，未來(lái)30天內(nèi)可能進(jìn)一步攀升。在報(bào)道引用的《The Full Nerd Network》采訪中，Crandall指出，近70%的NAND價(jià)格急劇飆升發(fā)生在過(guò)去60天內(nèi)。由于NAND約占SSD成本結(jié)構(gòu)的90%，他表示金斯頓幾乎沒(méi)
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美國(guó)國(guó)防部、商務(wù)部發(fā)起訴訟

據(jù)路透社消息，中國(guó)NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已就其被列入“實(shí)體清單”一事分別向美國(guó)國(guó)防部、美國(guó)商務(wù)部發(fā)起了訴訟。12月5日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于美國(guó)華盛頓聯(lián)邦法院對(duì)美國(guó)防部提起訴訟，要求法官阻止國(guó)防部將公司列入所謂“涉軍名單”并撤銷這一認(rèn)定。長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立于2016年7月，是國(guó)內(nèi)專注于3D NAND閃存及存儲(chǔ)器解決方案的半導(dǎo)體集成電路廠商，旗下有零售存儲(chǔ)品牌致態(tài)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元的估值成功入圍了胡潤(rùn)研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》，位列中國(guó)十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。
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